Txoj kev npaj polysilicon.

1. Chaw thau khoom

Muab cov coated quartz crucible rau ntawm lub rooj sib hloov cua sov, ntxiv cov khoom siv silicon, tom qab ntawd nruab cov khoom siv cua sov, cov khoom siv rwb thaiv tsev thiab lub tshuab ua kom sov, tshem tawm lub qhov cub kom txo qhov siab ntawm lub cub tawg rau 0.05-0.1mbar thiab tswj lub tshuab nqus tsev. Qhia argon ua cov roj tiv thaiv kom muaj lub siab nyob rau hauv lub cub tawg ntawm ib ncig ntawm 400-600mbar.

2. Cua sov

Siv lub graphite rhaub kom sov rau lub cub tawg, ua ntej evaporate cov dej noo adsorbed rau ntawm qhov chaw ntawm graphite, rwb thaiv tsev txheej, silicon raw cov ntaub ntawv, thiab lwm yam, thiab ces maj mam ua kom kub ntawm lub quartz crucible mus txog 1200-1300.℃. Cov txheej txheem no siv sijhawm 4-5 teev.

3. Melting

Qhia argon ua cov roj tiv thaiv kom muaj lub siab nyob rau hauv lub cub tawg ntawm ib ncig ntawm 400-600mbar. Maj mam nce lub zog cua sov kom hloov qhov kub hauv lub crucible mus txog 1500℃, thiab cov khoom siv silicon pib yaj. Cia li 1500℃thaum lub sij hawm melting txheej txheem kom txog thaum lub melting tiav. Cov txheej txheem no yuav siv sijhawm li 20-22 teev.

4. Crystal loj hlob

Tom qab cov khoom siv silicon yog yaj, lub zog cua sov yog txo kom qhov kub ntawm lub crucible poob mus txog 1420-1440.℃, uas yog lub melting point ntawm silicon. Tom qab ntawd lub quartz crucible maj mam txav mus rau hauv qab, los yog cov khoom siv rwb thaiv tsev maj mam nce, kom lub quartz crucible maj mam tawm hauv qhov cua sov thiab ua rau cov cua kub pauv nrog rau ib puag ncig; Nyob rau tib lub sijhawm, dej tau dhau los ntawm lub phaj txias kom txo qhov kub ntawm cov yaj hauv qab, thiab crystalline silicon yog thawj zaug hauv qab. Thaum lub sij hawm txoj kev loj hlob, cov khoom-kua interface yeej ib txwm nyob rau tib lub sij hawm mus rau lub kab rov tav dav hlau mus txog rau thaum lub crystal kev loj hlob tiav. Cov txheej txheem no yuav siv sijhawm li 20-22 teev.

5. Ntxoov ntxoo

Tom qab qhov kev loj hlob ntawm cov siv lead ua tiav, vim qhov kub thiab txias gradient ntawm lub hauv qab thiab sab saum toj ntawm cov siv lead ua, thermal stress yuav tshwm sim nyob rau hauv lub ingot, uas yog ib qho yooj yim rau tawg dua thaum lub sij hawm cua sov ntawm silicon wafer thiab npaj lub roj teeb. . Yog li ntawd, tom qab kev loj hlob siv lead ua tiav lawm, silicon ingot yuav tsum nyob ze ntawm lub melting point rau 2-4 teev kom qhov kub thiab txias ntawm silicon ingot uniform thiab txo thermal stress.

6. Cua txias

Tom qab lub silicon ingot yog annealed nyob rau hauv lub cub tawg, tua lub cua sov lub hwj chim, tsa lub tshav kub rwb thaiv tsev ntaus ntawv los yog kiag li txo cov silicon ingot, thiab qhia ib tug loj txaus ntshai ntawm argon roj rau hauv lub cub tawg kom maj mam txo qhov kub ntawm silicon ingot kom ze. chav kub; Nyob rau tib lub sijhawm, cov roj siab hauv lub cub tawg maj mam nce mus txog thaum nws ncav cuag atmospheric siab. Cov txheej txheem no siv sijhawm li 10 teev.